PDMB200BS12 View Datasheet(PDF) - Nihon Inter Electronics
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PDMB200BS12 Datasheet PDF : 4 Pages
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ＩＧＢＴ Ｍｏｄｕｌｅ－Ｄｕａｌ
□ 回 路 図 ： ＣＩＲＣＵＩＴ
(C2E1)
(E2)
1
2
7(G2)
6(E2)
(C1)
3
5(E1)
4(G1)
２００ Ａ，１２００Ｖ
QS043-402-20371（2/5）
ＰＤＭＢ２００ＢＳ１２
ＰＤＭＢ２００ＢＳ１2Ｃ
□ 外 形 寸 法 図 ： ＯＵＴＬＩＮＥ ＤＲＡＷＩＮＧ
3-M6
108
93 ±0 .2 5
14 11 14 11 14
4-Ø 6.5
1
2
3
7
6
5
4
25
25
24
16 9 16 9 16
94.0
80 ±0.25
12.0 11.0 12.0 11.0 12.0
1
2
3
2-Ø6.5
7
6
3-M5
5
4
23.0
23.0 17.0
14 9 14 9 14
4-fasten tab
#110 t=0.5
LABEL
LABEL
PDMB200BS12
PDMB200BS12C
Dimension:［mm］
□ 最 大 定 格 ： ＭＡＸＩＭＵＭ ＲＡＴＩＮＧＳ （ＴＣ＝２５℃）
Ｉｔｅｍ
コレクタ・エミッタ間電圧
Ｃollector-Ｅmitter Ｖoltage
ゲ ー ト・エ ミ ッ タ 間 電 圧
Ｇate-Ｅmitter Ｖoltage
コレクタ電流
Ｃollector Ｃurrent
コレクタ損失
Ｃollector Ｐower Ｄissipation
ＤＣ
１ｍｓ
Ｓｙｍｂｏｌ
ＶＣＥＳ
ＶＧＥＳ
ＩＣ
ＩＣＰ
ＰＣ
Ｒａｔｅｄ Ｖａｌｕｅ
１，２００
±２０
２００
４００
１，２００
Ｕｎｉｔ
Ｖ
Ｖ
Ａ
Ｗ
接合温度
Ｊunction Ｔemperature Ｒange
保存温度
Ｓtorage Ｔemperature Ｒange
Ｔｊ
Ｔｓｔｇ
－４０～＋１５０
℃
－４０～＋１２５
℃
絶 縁 耐 圧(Ｔerminal to Ｂase ＡＣ,１ｍinute)
Ｉsolation Ｖoltage
締 め 付 け ト ル ク Ｍodule Ｂase to Ｈeatsink
Ｍounting Ｔorque
Ｂusbar to Ｍain Ｔerminal
ＶＩＳＯ
Ｆｔｏｒ
PDMB200BS12
２,５００
Ｖ（ＲＭＳ）
３（３０.６）
３（３０.６）
PDMB200BS12C ３（３０.６）
２（２０.４）
Ｎ・ｍ
(kgf･cm)
□ 電 気 的 特 性 ： ＥＬＥＣＴＲＩＣＡＬ ＣＨＡＲＡＣＴＥＲＩＳＴＩＣＳ （ＴＣ＝２５℃）
Ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃ
コレクタ遮断電流
Ｃollector-Ｅmitter Ｃut-Ｏff Ｃurrent
ゲート漏れ電流
Ｇate-Ｅmitter Ｌeakage Ｃurrent
Ｓｙｍｂｏｌ Ｔｅｓｔ Ｃｏｎｄｉｔｉｏｎ
ＩＣＥＳ
ＶＣＥ= 1200V,ＶＧＥ= 0V
ＩＧＥＳ
ＶＧＥ= ±20V,ＶＣＥ= 0V
Ｍｉｎ. Ｔｙｐ. Ｍａｘ. Ｕｎｉｔ
－
－
２.０
ｍＡ
－
－
１.０
μＡ
コレクタ・エミッタ間飽和電圧
Ｃollector-Ｅmitter Ｓaturation Ｖoltage
ＶＣＥ（ｓａｔ） ＩＣ= 200A,ＶＧＥ= 15V
－
２.３ ２.７
Ｖ
ゲ ー ト しきい値電圧
Ｇate-Ｅmitter Ｔhreshold Ｖoltage
ＶＧＥ（ｔｈ）
ＶＣＥ= 5V,ＩＣ= 200mA
４.０
－
８.０
Ｖ
入力容量
Ｉnput Ｃapacitance
スイッチング時間
Ｓwitching Ｔime
上昇時間
ターンオン時間
下降時間
ターンオフ時間
Ｒise Ｔime
Ｔurn-on Ｔime
Ｆall Ｔime
Ｔurn-off Ｔime
Ｃｉｅｓ
ｔｒ
ｔｏｎ
ｔｆ
ｔｏｆｆ
ＶＣＥ= 10V,ＶＧＥ= 0V,ｆ= 1MHＺ
ＶＣＣ= 600V
ＲL= 3.0Ω
ＲG= 7.5Ω
ＶＧＥ= ±15V
－
12,600
－
ｐＦ
－
０.２５ ０.４５
－
０.４０ ０.７０
μｓ
－
０.２５ ０.３５
－
０.８０ １.１０
□フリーホイーリングダイオードの 特 性： ＦＲＥＥ ＷＨＥＥＬＩＮＧ ＤＩＯＤＥ ＲＡＴＩＮＧＳ ＆ ＣＨＡＲＡＣＴＥＲＩＳＴＩＣＳ（ＴＣ＝２５℃）
順
電
流
Ｆorward Ｃurrent
Ｉｔｅｍ
ＤＣ
１ｍｓ
Ｓｙｍｂｏｌ
ＩＦ
ＩＦＭ
Ｒａｔｅｄ Ｖａｌｕｅ
２００
４００
Ｕｎｉｔ
Ａ
Ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃ
順
電
圧
Ｐeak Ｆorward Ｖoltage
逆回復時間
Ｒeverse Ｒecovery Ｔime
Ｓｙｍｂｏｌ Ｔｅｓｔ Ｃｏｎｄｉｔｉｏｎ
ＶＦ
ｔｒｒ
ＩＦ= 200A,ＶＧＥ= 0V
ＩＦ= 200A,ＶＧＥ= -10V
ｄi/ｄt= 400A/μs
□ 熱 的 特 性 ： ＴＨＥＲＭＡＬ ＣＨＡＲＡＣＴＥＲＩＳＴＩＣＳ
Ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃ
熱
抵
抗
ＩＧＢＴ
Ｔhermal Ｉmpedance
Ｄiode
Ｓｙｍｂｏｌ Ｔｅｓｔ Ｃｏｎｄｉｔｉｏｎ
Ｒth(j-c) Junction to Case
（Tc測定点チップ直下）
Ｍｉｎ. Ｔｙｐ. Ｍａｘ. Ｕｎｉｔ
－
２.２ ２.６
Ｖ
－
０.２ ０.３
μｓ
Ｍｉｎ.
－
－
Ｔｙｐ. Ｍａｘ. Ｕｎｉｔ
－ ０.１０４ ℃／Ｗ
－ ０.２１４
日本インター株式会社
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